Post Image

Samsung تبدأ بإنتاج الجيل الثاني من ذاكرة الوصول العشوائية-الديناميكية LPDDR4X


Wed 2018/08/16

أعلنت سامسونج الكترونيكس، الشركة الرائدة في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدئها إنتاج الجيل الثاني لذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية من فئة 10نانومتر* ،LPDDR4X (طاقة منخفضة، ومعدَل بيانات مزدوج، 4x)  وذلك لتحسين الكفاءة وخفض استنزاف الهواتف الذكية المميزة للبطارية وغيرها من تطبيقات الهاتف المحمول.

يتيمز الجيل الثاني من LPDDR4X DRAM بتخفيض طاقة يصل إلى 10 بالمائة مع الحفاظ على نفس معدل البيانات البالغ 4266 ميجابايت في الثانية.

ستقوم سامسونج بتوسيع مجموعة ذاكرة الوصول العشوائة الديناميكية المميزة التي تعتمد على عملية 1y-nm بأكثر من 70 في المائة. ولقد بدأ إنتاج الجيل الأول من من ذاكرةDDR4  بسعة 8 جيجبايت من فئة 10 نانومتر في تشرين الثاني العام الماضي،  والاستكمال بشريحة الذاكرة المحمولة LPDDR4X سعة 16 جيجابايت بعد ثمانية أشهر فقط.

وأوضحت شركة سامسونج بأنها أنشأت حزمة ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية LPDDR4X بسعة 8 جيجابايت من خلال الجمع بين أربعة من رقائق ذاكرة الوصول العشوائية الديناميكية   LPDDR4Xذات سعة 16 جيجابايت من فئة 10 نانومتر  (16جيجابايت = 2 جيجابايت). هذه الحزمة رباعية القنوات يمكنها تحقيق معدل بيانات يبلغ 34.1 جيجابايت في الثانية، وقد تم تخفيض سماكة الرقاقة بأكثر 20 بالمائة من حزمة الجيل الأول، مما يمكِّن المصنعَين الأجهزة الذكية من تصميم أجهزة متنقلة أقل حجماً وأكثر فعالية.

Comments